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深圳市烜芯微科技有限公司
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升壓電路原理,場(chǎng)效應(yīng)管升壓電路圖解析
2024-05-08
升壓電路原理,場(chǎng)效應(yīng)管升壓電路圖解析升壓電路原理分析舉例：有一個(gè)12V的電路，電路中有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管需要15V的驅(qū)動(dòng)電壓，這個(gè)電壓怎么弄出
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圖騰柱電路,圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-05-08
圖騰柱電路,圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹圖騰柱介紹圖騰柱就是上下各一個(gè)三極管，上管為NPN，c極(集電極)接正電源，下管為PNP，c極(集電極)接地
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動(dòng)態(tài)功耗分析,降低動(dòng)態(tài)功耗的方法介紹
2024-05-08
動(dòng)態(tài)功耗分析,降低動(dòng)態(tài)功耗的方法介紹功耗功耗 = 靜態(tài)功耗 + 動(dòng)態(tài)功耗 = 靜態(tài)功耗 + 轉(zhuǎn)換功耗 + 短路功耗功耗源功耗的本質(zhì)是
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MOS管散熱,MOSFET頂部散熱封裝介紹
2024-05-08
MOS管散熱,MOSFET頂部散熱封裝介紹由于器件的引線(xiàn)框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區(qū)，這導(dǎo)致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其
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mos管vgs怎么測(cè),?MOS管VGS電壓測(cè)量介紹
2024-05-07
mos管vgs怎么測(cè),MOS管VGS電壓測(cè)量介紹測(cè)試方法（以NMOS為案例）：手拿MOS管，將有絲印的一面朝自己，從左至右為GDS。MOS測(cè)試前的準(zhǔn)備：1 測(cè)
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mos管測(cè)試儀自制,mos管測(cè)試儀電路圖解析
2024-05-07
mos管測(cè)試儀自制,mos管測(cè)試儀電路圖解析MOS管的工作原理和三極管比較類(lèi)似，MOS管的柵極相當(dāng)于三極管的基極，只需要在它的柵極給一個(gè)高電平
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MOS管,mos管怎么測(cè)試好壞,快速判斷
2024-05-07
MOS管,mos管怎么測(cè)試好壞,快速判斷一、從外觀(guān)上進(jìn)行初步檢查首先看管子有無(wú)裂紋，其次看絕緣層是否完整，優(yōu)質(zhì)的MOS管應(yīng)該具有光滑平整的表
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場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路,電路設(shè)計(jì)圖文介紹
2024-05-07
場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路,電路設(shè)計(jì)圖文介紹場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路下圖所示的電路中，增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡(jiǎn)單的燈ON和OFF（也可以是 LED）。
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LM567引腳圖及功能,LM567應(yīng)用電路圖解
2024-05-07
LM567引腳圖及功能,LM567應(yīng)用電路圖解lm567引腳圖及功能引腳4和引腳7：分別是 IC 的正 (Vdd) 和負(fù) (Vss) 電源輸入。引腳3：是輸入的
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去耦電路,去耦旁路電路圖介紹
2024-05-07
去耦電路,去耦旁路電路圖介紹去耦電路指的是在多級(jí)放大電路(集成電路芯片內(nèi)部大多也是由各種多級(jí)放大電路組成)的供電電源端對(duì)地所加的旁路
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電路去耦合詳解,電路去耦設(shè)計(jì)詳解
2024-05-07
電路去耦合詳解,電路去耦設(shè)計(jì)詳解電路去耦合方法1 去耦電容法去耦電容法是常用的電路去耦合方法。它主要是通過(guò)添加去耦電容，將交流信號(hào)
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電阻詳解,電阻規(guī)格,電阻選型與應(yīng)用介紹
2024-05-06
電阻詳解,電阻規(guī)格,電阻選型與應(yīng)用介紹電阻(Resistor)：阻礙電流通過(guò)的器件；用于控制電流和電壓，實(shí)現(xiàn)電路的分壓和限流。電阻是電路中常用