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MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹
2024-05-10
MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中，當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候D S之間不應(yīng)該存在任何
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純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區(qū)別詳解
2024-05-10
純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區(qū)別詳解純電阻電路是指電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，因?qū)w的電阻把電能轉(zhuǎn)化為熱能的電路。純電阻電路是除電源外，只
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B值是什么,熱敏電阻的B值介紹
2024-05-09
B值是什么,熱敏電阻的B值介紹熱敏電阻B值B值是熱敏電阻器的材料常數(shù)，即熱敏電阻器的芯片（一種半導(dǎo)體陶瓷）在經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)后，形成具有一
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單結(jié)晶體管符號(hào),原理,單結(jié)晶體管觸發(fā)電路介紹
2024-05-09
單結(jié)晶體管符號(hào),原理,單結(jié)晶體管觸發(fā)電路介紹單結(jié)晶體管介紹單結(jié)晶體管（UJT）又稱基極二極管，是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半
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bat54c參數(shù),bat54c 5V轉(zhuǎn)3.3V,bat54c電路圖解
2024-05-09
bat54c參數(shù),bat54c 5V轉(zhuǎn)3 3V,bat54c電路圖解bat54c參數(shù)直流反向耐壓(Vr): 30V平均整流電流(Io): 200mA正向壓降(Vf): 1V @ 100mA反向
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串聯(lián)電路電壓,串聯(lián)電路電壓公式,規(guī)律詳解
2024-05-09
串聯(lián)電路電壓,串聯(lián)電路電壓公式,規(guī)律詳解串聯(lián)電路電壓規(guī)律串聯(lián)電路的總電壓等于各部分電路兩端電壓之和。串并聯(lián)電路的電壓規(guī)律是電路連接的
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延時(shí)電路圖,555延時(shí)電路圖設(shè)計(jì)介紹
2024-05-09
延時(shí)電路圖,555延時(shí)電路圖設(shè)計(jì)介紹觸摸延時(shí)電路圖這個(gè)觸摸延時(shí)電路圖簡(jiǎn)單實(shí)用，電路原理：延遲開關(guān)電路見(jiàn)圖D1—D1，SCR組成開關(guān)的主回路，B
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平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹
2024-05-09
平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹平帶電壓一塊單純的半導(dǎo)體，它的能帶各處都一樣，所以在空間分布上，能帶沒(méi)有彎曲，也就是平的。當(dāng)一塊金
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正向恢復(fù)時(shí)間與反向恢復(fù)時(shí)間解析
2024-05-09
正向恢復(fù)時(shí)間與反向恢復(fù)時(shí)間解析正向恢復(fù)時(shí)間正向恢復(fù)時(shí)間的定義：從二極管反向截止?fàn)顟B(tài)到指定的正向?qū)顟B(tài)所需要的時(shí)間。正向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)
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單片機(jī)的工作原理,單片機(jī)的作用介紹
2024-05-08
單片機(jī)的工作原理,單片機(jī)的作用介紹單片機(jī)是由微處理器、存儲(chǔ)器、輸入輸出接口、定時(shí)計(jì)數(shù)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器等多種功能模塊組成的微型計(jì)算
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rcd電路,剩余電流保護(hù)器(RCD)介紹
2024-05-08
rcd電路,剩余電流保護(hù)器(RCD)介紹剩余電流動(dòng)作保護(hù)裝置（RCD）是具有漏電保護(hù)功能的開關(guān)設(shè)備，當(dāng)電氣線路和電氣設(shè)備發(fā)生單相接地故障時(shí)，利
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影響MOS管開關(guān)速度的因素,米勒效應(yīng)詳解
2024-05-08
影響MOS管開關(guān)速度的因素,米勒效應(yīng)詳解米勒效應(yīng)，在電子學(xué)反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等