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  • PN連接二極管的設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2025-08-06 19:17:42
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    PN連接二極管的設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳解
    PN連接二極管由p區(qū)域和N區(qū)組成,該區(qū)域由耗盡區(qū)域分離,該區(qū)域存儲(chǔ)了電荷。上一個(gè)教程中描述的效果是實(shí)現(xiàn)的,而沒有將任何外部電壓應(yīng)用于實(shí)際的PN連接,從而導(dǎo)致連接處處于平衡狀態(tài)。
    PN連接二極管由p區(qū)域和N區(qū)組成,該區(qū)域由耗盡區(qū)域分離,該區(qū)域存儲(chǔ)了電荷。上一個(gè)教程中描述的效果是實(shí)現(xiàn)的,而沒有將任何外部電壓應(yīng)用于實(shí)際的PN連接,從而導(dǎo)致連接處處于平衡狀態(tài)。
    但是,如果我們要在N型和P型材料的末端進(jìn)行電氣連接,然后將它們連接到電池源,則現(xiàn)在存在一個(gè)額外的能源來克服潛在的屏障。
    添加這種額外能源的效果導(dǎo)致自由電子能夠從一側(cè)到另一側(cè)越過耗竭區(qū)域。 PN連接在潛在屏障的寬度方面產(chǎn)生的不對(duì)稱導(dǎo)電兩個(gè)末端裝置,即PN連接二極管。
    PN連接二極管是周圍簡單的半導(dǎo)體設(shè)備之一,并且具有僅在一個(gè)方向上通過自身的電特征。但是,與電阻不同,二極管相對(duì)于施加的電壓并不線性地行為。取而代之的是,它具有指數(shù)的電流(IV)關(guān)系,因此我們無法通過簡單地使用諸如ohm定律之類的方程來描述其操作。
    如果在PN連接的兩端之間應(yīng)用合適的正電壓(正向偏置),則隨著PN連接圍繞耗竭層的寬度降低,它可以為越過連接所需的額外能量提供自由電子和孔。。
    通過施加負(fù)電壓(反向偏置)會(huì)導(dǎo)致自由電荷從連接處撤離,從而增加了耗盡層的寬度。這具有增加或降低連接本身的有效電阻的效果,從而允許或阻斷通過二極管通過二極管的流動(dòng)。
    然后,耗盡層隨著反向電壓的應(yīng)用增加而擴(kuò)大,并隨著向前電壓的應(yīng)用增加而變窄。這是由于PN連接兩側(cè)的電氣性能的差異導(dǎo)致物理變化。結(jié)果之一會(huì)產(chǎn)生糾正,如PN連接二極管靜態(tài)IV(電流 - 電壓)特性所示。如下所示,當(dāng)偏置電壓的極性改變改變時(shí),通過不對(duì)稱電流流動(dòng)顯示了整流。
    連接二極管符號(hào)和靜態(tài)IV特征
    PN連接二極管
    PN連接二極管特征
    但是,在我們可以將PN交界處用作實(shí)用設(shè)備或作為整流設(shè)備之前,我們首先需要偏向連接點(diǎn),即連接其跨它的電壓。在上面的電壓軸上,“反向偏置”是指增加潛在屏障的外部電壓電勢。降低潛在障礙的外部電壓被認(rèn)為朝著“正向偏置”方向起作用。
    標(biāo)準(zhǔn)連接二極管有兩個(gè)操作區(qū)域和三個(gè)可能的“偏見”條件,它們是:
    1。零偏見- 沒有外部電壓電勢應(yīng)用于PN連接二極管。
    2。反向偏置- 電壓電勢與P型材料和陽性(+VE)連接到二極管上的N型材料,該材料具有增加Pn連接二極管的寬度的作用。
    3。向前偏置- 電壓電勢與p型材料和負(fù)(-ve)連接到二極管上的N型材料上,該材料具有降低PN連接二極管寬度的作用。
    零有偏連接二極管
    當(dāng)二極管在零偏置條件下連接時(shí),沒有將外部勢能應(yīng)用于PN連接。但是,如果將二極管末端縮短在一起,則具有足夠能量以克服潛在屏障的P型材料中的幾個(gè)孔(多數(shù)載體)將在交界處越過這種屏障潛力。這被稱為“前向電流”,被稱為我同樣,在N型材料(少數(shù)載體)中產(chǎn)生的孔,發(fā)現(xiàn)這種情況有利,并沿相反方向跨連接。這被稱為“反向電流”,被稱為i r。如下所示,電子和孔在PN連接中來回的這種傳遞稱為擴(kuò)散。
    零偏置PN連接二極管
    PN連接二極管
    PN連接零偏見
    現(xiàn)在,現(xiàn)在存在的潛在障礙會(huì)阻止整個(gè)交界處的任何多數(shù)載體的擴(kuò)散。但是,潛在的障礙有助于少數(shù)族裔載體(p區(qū)域中的幾個(gè)自由電子,而在N區(qū)域中很少)在交界處漂移。
    然后,當(dāng)大多數(shù)載體相等并且均以相反的方向移動(dòng)時(shí),將建立“平衡”或平衡,以使凈結(jié)果為零電流在電路中流動(dòng)。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí),據(jù)說連接處處于“動(dòng)態(tài)平衡”狀態(tài)。
    由于熱能而不斷產(chǎn)生少數(shù)載體由于沒有電路連接到PN連接。
    反向偏見的PN連接二極管
    當(dāng)二極管在反向偏置條件下連接時(shí),將正電壓應(yīng)用于N型材料,并將負(fù)電壓應(yīng)用于P型材料。
    應(yīng)用于N型材料的正電壓將電子吸引到正極電極,并遠(yuǎn)離交界處,而P型端的孔也從連接點(diǎn)吸引到負(fù)電極。
    終結(jié)果是,由于缺乏電子和孔,耗盡層的增長較寬,并且呈現(xiàn)出高阻抗路徑,幾乎是絕緣體,并且在整個(gè)連接處產(chǎn)生了高電位屏障,從而阻止電流流過半導(dǎo)體材料。
    由于反向偏置而增加耗盡層
    PN連接二極管
    PN連接反向偏置
    該條件代表了PN結(jié)的高電阻值,并且實(shí)際上零電流流過連接二極管,偏置電壓增加。但是,一個(gè)非常小的反向泄漏電流確實(shí)流過該連接,通??梢栽谖⑿椭匦停?mu;A)中測量。
    一個(gè)點(diǎn),如果將二極管應(yīng)用于二極管的反向偏置電壓VR增加到足夠高的值,則由于連接周圍的雪崩效應(yīng),會(huì)導(dǎo)致二極管的PN連接過熱和失敗。這可能會(huì)導(dǎo)致二極管縮短并會(huì)導(dǎo)致電路電流的流動(dòng),并且在下面的反向靜態(tài)特性曲線中顯示為向下斜率。
    連接二極管的反向特性曲線
    PN連接二極管
    PN連接二極管反向特性
    有時(shí),這種雪崩效應(yīng)在電壓穩(wěn)定電路中具有實(shí)際應(yīng)用,在二極管中使用串聯(lián)限制電阻器將這種反向分解電流限制為預(yù)設(shè)值,從而在整個(gè)二極管上產(chǎn)生固定的電壓輸出。這些類型的二極管通常稱為齊納二極管,在后來的教程中進(jìn)行了討論。
    正向偏見二極管二極管
    當(dāng)二極管在正向偏置條件下連接時(shí),將負(fù)電壓應(yīng)用于N型材料,并將正電壓應(yīng)用于P型材料。如果該外部電壓大于潛在屏障的值,則大約。硅的0.7伏和0.3伏的鍺,潛在的屏障對(duì)立將被克服,并且電流將開始流動(dòng)。
    這是因?yàn)樨?fù)電壓將電子推向交界處,從而使它們能夠越過,并與正向電壓向相反的方向推向相反的方向。這會(huì)導(dǎo)致零電流的特性曲線流到該電壓點(diǎn),在靜態(tài)曲線上稱為“膝蓋”,然后通過二極管流動(dòng)的高電流流,外部電壓幾乎沒有增加,如下所示。
    連接二極管的正向特征曲線
    PN連接二極管
    正向特征
    向前偏置電壓在連接二極管上的應(yīng)用導(dǎo)致耗竭層變得非常薄且狹窄,這代表了通過交界處的低阻抗路徑,從而使高電流流動(dòng)。在上面的靜態(tài)IV特征曲線上表示電流突然增加的點(diǎn)是“膝蓋”點(diǎn)。
    由于前進(jìn)偏置而導(dǎo)致的耗竭層減少
    PN連接二極管
    向前偏見
    該條件表示穿過PN連接的低電阻路徑,從而使非常大的電流流過二極管,而偏置電壓只有很小的增加。通過大約0.3V的耗竭層的作用,晶鍺的耗竭層的作用保持恒定,對(duì)于硅連接二極管的作用約為0.7V。
    由于二極管可以有效地變成短路,因此可以在此膝蓋上方傳遞“無限”電流,因此與二極管一起使用電阻來限制其電流流量。超過其向前電流規(guī)范會(huì)導(dǎo)致該設(shè)備以熱量形式耗散更多的功率,而不是為了使設(shè)備的快速故障而設(shè)計(jì)。
    教程摘要
    連接二極管的PN連接區(qū)具有以下重要特征:
    半導(dǎo)體包含兩種類型的移動(dòng)電荷載體:“孔”和“電子”。
    當(dāng)電子負(fù)電荷時(shí),孔會(huì)積極充電。
    半導(dǎo)體可能會(huì)摻有供體雜質(zhì)(例如銻(N型摻雜)),因此它包含主要是電子的移動(dòng)電荷。
    半導(dǎo)體可能會(huì)摻有受體雜質(zhì),例如硼(p型摻雜),因此它包含主要是孔的移動(dòng)費(fèi)用。
    交界區(qū)本身沒有電荷載體,被稱為耗竭區(qū)域。
    連接(耗盡)區(qū)域的物理厚度隨施加的電壓而變化。
    當(dāng)二極管為零時(shí),偏置不應(yīng)用外部能源,并且在耗盡層上產(chǎn)生了自然電勢壘,硅二極管的耗盡層大約為0.5至0.7V,而在鍺二極管的伏特二極管則約為0.3。
    當(dāng)連接二極管向前偏向時(shí),耗盡區(qū)域的厚度減小,二極管的作用就像短路,使全電路電流流動(dòng)。
    當(dāng)連接二極管反向時(shí),耗盡區(qū)域的厚度會(huì)增加,二極管的作用就像開路阻塞任何電流流動(dòng)(只有很小的泄漏電流將流動(dòng))。
    我們還在上面看到,二極管是兩個(gè)終端非線性裝置,其靜脈特征取決于極性,這取決于施加電壓的極性,v d二極管是向前偏置的,V d  > 0或反向偏置, V d, V D  <0。無論哪種方式,我們都可以為理想二極管和真實(shí)硅二極管建模這些電流 - 電壓特性,如下所示:
    理想和真實(shí)特征
    PN連接二極管
    在下一個(gè)關(guān)于二極管的教程中,我們將查看有時(shí)稱為開關(guān)二極管的小信號(hào)二極管,該二極管在一般電子電路中使用。顧名思義,信號(hào)二極管設(shè)計(jì)用于低壓或高頻信號(hào)應(yīng)用,例如在無線電或數(shù)字開關(guān)電路中。
    信號(hào)二極管(例如1N4148)僅通過非常小的電流,而不是通常使用硅二極管的高電流電流二極管。同樣在下一個(gè)教程中,我們將檢查信號(hào)二極管靜態(tài)電流電壓特性曲線和參數(shù)。
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