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  • mos管模擬開關(guān),模擬開關(guān)電路原理介紹
    • 發(fā)布時間:2025-08-04 18:56:03
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    mos管模擬開關(guān),模擬開關(guān)電路原理介紹
    模擬開關(guān),其核心功能在于實現(xiàn)信號鏈路的接通與斷開。以MOS管為基礎(chǔ)構(gòu)建的模擬開關(guān),因其在信號控制方面的獨特優(yōu)勢而得名。
    這種模擬開關(guān)具備諸多優(yōu)良特性:功耗低、響應迅速、無需機械觸點、占用空間小、使用壽命長等,使其在自動控制系統(tǒng)和計算機領(lǐng)域獲得廣泛應用。
    模擬開關(guān)電路,原理,MOS管
    在工作原理方面,模擬開關(guān)一般由傳輸門或模擬多路復用器構(gòu)成,其中核心結(jié)構(gòu)為互補金屬氧化物半導體(CMOS)傳輸門。該傳輸門由PMOS管和NMOS管并聯(lián)組成,其柵極連接互補的控制信號(如EN和!EN)。當EN處于高電平時,PMOS管和NMOS管均處于導通狀態(tài),信號得以通過;反之,當EN為低電平時,兩者均截止,信號被阻斷。這種設計使得CMOS傳輸門的導通電阻低(通常為幾歐姆到幾十歐姆),而關(guān)斷電阻高(通常達到兆歐級),非常適用于模擬信號的傳輸。此外,模擬多路復用器由多個傳輸門和控制邏輯組成,通過地址線選擇不同的輸入通道連接到輸出端,從而實現(xiàn)多路信號的時分復用,常見于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的通道選擇場景。
    在電路設計中,模擬開關(guān)也有著廣泛應用。
    模擬開關(guān)電路,原理,MOS管
    模擬開關(guān)電路,原理,MOS管
    例如,在某一電路設計(圖1)中,場效應晶體管(mos管)T被用作開關(guān)元件。當柵極電壓uG處于高電位時,晶體管T導通,通過T的電流iD在電阻RD兩端產(chǎn)生壓降uD,相當于開關(guān)接通。而當uG為低電位時,T截止,iD及uD均為零,相當于開關(guān)斷開。除此之外,另一種由4個場效應晶體管集成的模擬開關(guān)電路(圖2)可用于傳送4路模擬信號。其中,G1~G4為控制端,D1~D4和S1~S4為開關(guān)端。通過將各管的源極S1~S4連接在一起,可組成共源組合,用作多路轉(zhuǎn)換開關(guān);若將各管的柵極G1~G4連在一起,則形成共柵組合,可作為多路傳輸開關(guān)使用。
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