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    • 發(fā)布時間:2025-07-31 19:26:14
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    sip封裝工藝,sip封裝有哪些
    一、SiP 封裝概述
    系統(tǒng)級封裝 SiP(Single In-line Package),是一種單列直插式集成電路封裝技術(shù)。其引腳設(shè)計(jì)為從封裝單側(cè)引出且呈直線排列,當(dāng)裝配至印刷電路板時,SiP 封裝呈現(xiàn)側(cè)立狀態(tài)。該封裝技術(shù)規(guī)定引腳中心距為 2.54mm,引腳數(shù)量通常在 2 至 23 個之間,且多為定制化產(chǎn)品。
    從功能實(shí)現(xiàn)角度,SiP 封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件,以及諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他器件進(jìn)行優(yōu)先組裝,形成一個具有一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件,從而構(gòu)成一個完整的系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。
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    二、SiP 封裝類型
    依據(jù)目前業(yè)界的設(shè)計(jì)類型及結(jié)構(gòu),SiP 封裝可分為三類:2D SiP、堆疊 SiP 和 3D SiP。
    2D SiP 封裝 :在同一個封裝基板上,將芯片以二維模式一個挨一個排列,最終封裝在一個封裝體內(nèi)。
    堆疊 SiP 封裝 :在一個封裝中,采用物理方法將兩個或多個芯片進(jìn)行堆疊整合,然后進(jìn)行封裝。
    3D SiP 封裝 :在 2D 封裝的基礎(chǔ)上,將多個芯片、封裝芯片、多芯片甚至圓片進(jìn)行疊層互聯(lián),形成三維立體封裝結(jié)構(gòu),也稱作疊層型 3D 封裝。
    三、SiP 封裝工藝
    SiP 封裝的核心工藝涵蓋晶圓減薄、芯片貼裝、互連形成和封裝體構(gòu)建等關(guān)鍵步驟。
    (一)晶圓準(zhǔn)備與減薄
    原始晶圓厚度約為 700pm,需研磨至 200pm 以下,對于疊層存儲芯片更是需要減薄至 50pm。該流程具體包括貼膜保護(hù)、背面研磨以及清洗環(huán)節(jié),每一步都需謹(jǐn)慎操作,以防止芯片受損。
    (二)芯片貼裝(Die Attach)
    采用銀膠(環(huán)氧樹脂與銀粉的混合物)將芯片粘接于基板之上,同時要對溫度(120°C)和壓力進(jìn)行精準(zhǔn)控制,以確保芯片與基板粘接的牢固性。此過程的關(guān)鍵設(shè)備包括固晶機(jī)、Pick up head 等。
    (三)互連技術(shù)
    引線鍵合 (Wire Bonding) :采用傳統(tǒng)金 / 銅線連接方式實(shí)現(xiàn)芯片與基板的互連。
    倒裝焊 (Flip Chip) :借助凸點(diǎn)直接連接芯片與基板,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的連接密度。
    (四)封裝體構(gòu)建
    包括錫膏印刷、回流焊、清洗以及最終的包封保護(hù)等一系列操作。
    根據(jù)芯片與基板的連接方式,SiP 封裝制程主要分為引線鍵合封裝和倒裝焊封裝兩種類型。
    四、引線鍵合封裝工藝流程
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    五、SiP 封裝的應(yīng)用領(lǐng)域
    SiP 封裝技術(shù)以其高度集成、節(jié)省空間的優(yōu)勢,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。在消費(fèi)電子領(lǐng)域,隨著電子設(shè)備不斷向小型化、多功能化發(fā)展,SiP 封裝能夠?qū)⒍喾N功能模塊集成在一起,滿足如智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備對于高性能、小尺寸的要求。例如,可將處理器、存儲器、射頻模塊等功能芯片進(jìn)行 SiP 封裝,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高速數(shù)據(jù)處理、大容量存儲以及穩(wěn)定的通信功能。
    在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)通常需要具備多種功能,如環(huán)境感知、數(shù)據(jù)處理和無線通信等,而 SiP 封裝可以將微處理器、傳感器、通信芯片等集成在一個小型封裝內(nèi),為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的快速部署和高效運(yùn)行提供有力支持。
    在汽車電子方面,SiP 封裝可用于車載信息系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)等,將多種芯片集成封裝,能夠提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,同時也有助于減小汽車電子模塊的體積,為汽車的智能化、電動化發(fā)展提供技術(shù)支撐。
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