一、增強(qiáng)型MOS管概述
增強(qiáng)型MOS管（E-MOS管）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，在電路設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用。其工作特性表現(xiàn)為：當(dāng)柵極端子沒有電壓施加時，通道展現(xiàn)最大的電導(dǎo)率；而當(dāng)柵極端子兩端施加正或負(fù)電壓時，溝道的電導(dǎo)率會隨之降低，從而實(shí)現(xiàn)對電流的有效控制。
二、增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)組成
襯底：選用低摻雜的P型硅片作為襯底，為后續(xù)的器件制作提供基礎(chǔ)支撐。
源極與漏極：通過擴(kuò)散工藝在襯底上形成兩個高摻雜的N+區(qū)，并分別引出源極（S）和漏極（D）的電極，這兩個區(qū)域是電子流入和流出的主要通道。
柵極：在半導(dǎo)體表面覆蓋一層SiO?絕緣層，其上再制作一層金屬鋁并引出電極，作為柵極（G）。通常將柵極與襯底連接，這樣在襯底與柵極之間形成電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)柵極與源極之間的電壓發(fā)生變化時，會改變襯底靠近絕緣層處的感應(yīng)電荷數(shù)量，進(jìn)而控制漏極電流的大小。
三、增強(qiáng)型MOS管工作原理
（一）無電壓施加狀態(tài)
當(dāng)柵極和源極之間未施加電壓時，由于漏極和源極之間存在電壓差，會有少量電流在漏源之間流動。此時，導(dǎo)電溝道尚未完全形成，電流較小。
（二）正電壓施加過程
當(dāng)在柵極（VGG）處施加正電壓時，少數(shù)載流子（空穴）受到排斥，而多數(shù)載流子（電子）被吸引向SiO?層。隨著VGG處正電位的逐漸增加，一定量的漏極電流（ID）開始在源極和漏極之間流動。進(jìn)一步提高VGG的正電位，來自源極的電子流動得到增強(qiáng)，并且受VGG電壓的推動作用，漏極電流ID也隨之增加。由于電子流的增強(qiáng)效應(yīng)，這種模式被稱為增強(qiáng)模式MOS管。
四、增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓
增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓大于零，這是其重要的電氣特性之一。
其工作原理緊密依賴于柵源電壓（VGS）的控制作用。當(dāng)柵源之間未施加電壓時，漏源之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，無法形成有效的導(dǎo)電溝道，即使在漏源之間施加電壓，也不會有顯著電流通過。而當(dāng)柵源之間施加的正向電壓達(dá)到一定值（即開啟電壓VGS(th)）時，漏源之間形成導(dǎo)電通道，器件開始導(dǎo)通。
當(dāng)VGS超過開啟電壓后，MOS管進(jìn)入導(dǎo)通區(qū)，此時漏源電流（iDS）會隨著VGS的增加而增大，同時輸出電壓（UDS）相應(yīng)減小。如果漏源電阻（rDS）遠(yuǎn)小于負(fù)載電阻（RD），則輸出電壓UDS可近似為0V，表明MOS管處于良好的“接通”狀態(tài)，能夠有效地實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制功能。
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