為了記憶、改寫大量的數(shù)據(jù)，需求運用存儲器。關于將數(shù)據(jù)寫入、讀出存儲器單元的控制電路和輸入輸出電路，采用耗費功率低、容易集成化、微細化的CMOS技術。存儲器的制造工程和設計規(guī)格是以CMOS為根底，存儲器單元和周邊的部分模仿電路，采用存儲器型共同的設計、制造技術。
如圖11.5所示，存儲器的品種十分多。大致能夠分為即便切斷器件的電源，所記憶的數(shù)據(jù)也不喪失的不揮發(fā)性存儲器(ROM：Read Only Memory)，和切斷電源后記憶的數(shù)據(jù)就喪失的揮發(fā)性存儲器(RAM：Random Access Memory).
存儲器的電路構成，不論它的品種如何，都能夠表示為圖11.6那樣。
記憶信息的存儲單元。
決議存取哪個地址的存儲單元的地址緩沖器～行／列譯碼器。
對貯存在存儲單元中的微小電位停止放大的讀出放大器。
指定存儲單元的行和列分別叫做字線和位線。
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