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大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)參數(shù)-大功率MOS管型號(hào)封裝
2019-08-21
大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介在了解大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)之前，我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)，它主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金
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場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)典電路-6種場(chǎng)效應(yīng)管電路圖與知識(shí)分析
2019-08-21
場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)典電路場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)典電路，場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用很廣，能夠用于調(diào)制、放大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流和自動(dòng)維護(hù)等電路中，本文集合了穩(wěn)壓電
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1117三端穩(wěn)壓器型號(hào)封裝-1117三端穩(wěn)壓器的作用
2019-08-20
1117三端穩(wěn)壓器三端穩(wěn)壓器三端穩(wěn)壓器是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時(shí)，在一定的電流范圍內(nèi)（
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mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)-電機(jī)控制器MOS的作用
2019-08-20
mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)（一）電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做
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MOS管是怎么準(zhǔn)確控制電路電流和基本方法分析
2019-08-20
MOS管,電路電流MOS管如何精準(zhǔn)控制電路電流，MOS管即可用于放大電流，又可以作為可變電阻，還能用作電子開(kāi)關(guān)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。而
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PFC電路結(jié)構(gòu)和工作原理-PFC電路專用碳化硅二極管參數(shù)型號(hào)
2019-08-20
PFC的英文全稱為Power Factor Correction，意思是功率因數(shù)校正，功率因數(shù)指的是有效功率與總耗電量（視在功率）之間的關(guān)系，也就是有效功
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LED驅(qū)動(dòng)電源方案-LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的5個(gè)要點(diǎn)和失效分析
2019-08-20
LED,驅(qū)動(dòng)電源LED驅(qū)動(dòng)電源簡(jiǎn)介L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電源轉(zhuǎn)換器，通常情況下：LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析-MOS管驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)典設(shè)計(jì)大全
2019-08-19
MOS管,MOS管驅(qū)動(dòng)電路MOS管概述mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)
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SOT-223封裝尺寸外觀圖-三端穩(wěn)壓管選型表與引腳識(shí)別好壞判斷
2019-08-19
SOT-223封裝,三端穩(wěn)壓管SOT-223封裝尺寸及實(shí)物圖SOT-223封裝的三端穩(wěn)壓管型號(hào)表烜芯微科技SOT-223封裝的三端穩(wěn)壓管型號(hào)表SOT-223封裝 三端
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TO-263封裝尺寸與外形圖-TO-263封裝MOS管廠家及參數(shù)型號(hào)
2019-08-19
TO-263封裝,MOS管MOS管封裝說(shuō)明MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷
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mos管規(guī)格書參數(shù)-MOS管規(guī)格書各個(gè)MOS參數(shù)
2019-08-19
mos管規(guī)格書參數(shù)詳解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之讀懂每一個(gè)mos管參數(shù)在了解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之前，先來(lái)看看mos管的每一個(gè)參數(shù)代表什么及說(shuō)明
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P溝道場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)與開(kāi)關(guān)條件應(yīng)用解析
2019-08-19
P溝MOS晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，叫源極和漏極