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深圳市烜芯微科技有限公司
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推挽拓?fù)漭敵龉β手R(shí)
2020-03-09
推挽拓?fù)漭敵龉β手R(shí)電子器件推挽拓?fù)漭敵龉β始拜斎腚妷旱南拗仆仆祀娐烦舜磐ú痪鈫?wèn)題外 （ 該問(wèn)題在電流形式推挽拓?fù)渲胁淮嬖冢?
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次級(jí)負(fù)載-續(xù)流二極管知識(shí)
2020-03-09
次級(jí)負(fù)載-續(xù)流二極管知識(shí)次級(jí)負(fù)載、續(xù)流二極管及電感的 電流選擇次級(jí)和輸出電感線(xiàn)徑 、整流 極管和續(xù)流二極管額起電流時(shí) ，需求曉得各
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集射極間電壓圖
2020-03-09
集射極間電壓圖射極開(kāi)路的時(shí)分，集射極間能夠承受的最大電壓 。它是器件的最小額定電壓。假設(shè)基射極間的電阻很小 （ 50 lOO!l） ，那
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線(xiàn)性調(diào)整器知識(shí)
2020-03-09
線(xiàn)性調(diào)整器知識(shí)線(xiàn)性調(diào)整器的主要缺陷是串接晶體管存在過(guò)大功耗 。一切的負(fù)載電流都必需經(jīng)過(guò)串接 晶體管，其功耗為 C V盧c -Vo ） 。
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PWM控制電路-PWM控制芯片電路工作原理詳情
2020-03-07
PWM控制電路-PWM控制芯片電路工作原理詳情開(kāi)關(guān)電源常用的控制方式有脈沖寬度調(diào)耐(PWM、脈沖頻率調(diào)制(PFM)和混合調(diào)制三種。目前大多數(shù)開(kāi)關(guān)電
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電容主要性能指標(biāo)圖
2020-03-07
電容主要性能指標(biāo)圖電容電容是一種主要針對(duì)交流信號(hào)停止處置的元件。應(yīng)用電容對(duì)不同頻率交流信號(hào)呈現(xiàn)的容抗變化，能夠構(gòu)成各種功用的電容電
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設(shè)計(jì)電源雙極型晶體管知識(shí)
2020-03-07
設(shè)計(jì)電源雙極型晶體管知識(shí)在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的反動(dòng)，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的展開(kāi)。由于MOSFET管具有更快
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輔助繞組的電壓消逝知識(shí)
2020-03-07
輔助繞組的電壓消逝知識(shí)輔助電源的接地問(wèn)題在設(shè)計(jì)電路時(shí)，首先要決議為PWM控制電路芯片供電的輔助控制電源是接輸出地還是接輸入地。在大多
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電流電壓間的“堆疊”知識(shí)
2020-03-07
電流電壓間的堆疊MOS功率開(kāi)關(guān)管損耗2 2 12 1 交流開(kāi)關(guān) （電流電壓間的 堆疊） 損耗由于在 T=O 后很短的時(shí)間內(nèi) ，電感呈現(xiàn)無(wú)量大阻抗
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正激變換器拓?fù)涞幕竟ぷ髟?/h2>
2020-03-07
正激變換器拓?fù)涞幕竟ぷ髟斫诲e(cuò)正激變換器拓?fù)浠竟ぷ髟?、優(yōu)缺陷和輸出功率限制這種拓?fù)渲皇莾蓚€(gè)相同的單端正激變換器交替工作 （
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設(shè)計(jì)和制造的主要流程
2020-03-07
設(shè)計(jì)和制造的主要流程什么是集成電路設(shè)計(jì)？ 根據(jù)電路功能和機(jī)能的要求，在準(zhǔn)確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計(jì)規(guī)則的情
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續(xù)流二極管雙向恒壓控制
2020-03-06
續(xù)流二極管雙向恒壓控制在需要單向升降壓且能量可以雙向活動(dòng)的場(chǎng)合，很有應(yīng)用價(jià)值，如應(yīng)用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)時(shí)，輔以三相可控全橋電路，可