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場(chǎng)效應(yīng)管的分類圖解
2020-10-24
場(chǎng)效應(yīng)管的分類圖解場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種 按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型
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場(chǎng)效應(yīng)管之柵源之間知識(shí)
2020-10-24
場(chǎng)效應(yīng)管之柵源之間知識(shí)為了更好的理解，可以通俗的講：通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)原理工作的管子就叫做場(chǎng)效應(yīng)管。說(shuō)得再仔細(xì)一點(diǎn)，就是利用輸入回路的電
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鋰電池保護(hù)板使用80N08型號(hào)完美替代IRFB3607參數(shù)的場(chǎng)效應(yīng)管MOS
2020-10-23
鋰電池保護(hù)板使用80N08型號(hào)完美替代IRFB3607參數(shù)的場(chǎng)效應(yīng)管MOS目前鋰電池需求是市場(chǎng)上的大趨勢(shì)，因?yàn)樵缧┠暝谟面囈壕щ姵馗U酸電池已經(jīng)淘
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功率器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS參數(shù)介紹和選用原則
2020-10-23
功率器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS參數(shù)介紹和選用原則MOSFET是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的首字母縮寫,中文叫場(chǎng)效應(yīng)管，它
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替代12N60場(chǎng)效應(yīng)管在高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中使用的12Amos管
2020-10-23
替代12N60場(chǎng)效應(yīng)管在高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中使用的12Amos管電子工程師都知道電機(jī)驅(qū)動(dòng)采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，而H 橋是一個(gè)典型的直
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增強(qiáng)型、耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管圖解
2020-10-23
增強(qiáng)型、耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管圖解根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VG
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)-符號(hào)與工作原理知識(shí)分享
2020-10-23
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)-符號(hào)與工作原理知識(shí)分享(一)結(jié)構(gòu)、符號(hào)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào),工作原理：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道兩種。 N溝道結(jié)型場(chǎng)
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場(chǎng)效應(yīng)管-可控硅的典型驅(qū)動(dòng)電路介紹
2020-10-23
場(chǎng)效應(yīng)管-可控硅的典型驅(qū)動(dòng)電路介紹場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的差異，首要場(chǎng)效應(yīng)管通常分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，可
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場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻介紹
2020-10-23
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻介紹由于CRT彩電很少用到場(chǎng)效應(yīng)管，尤其是體積較小的貼片場(chǎng)效應(yīng)管，因此部分工作者在初次檢修液晶電視時(shí)，
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600V耐壓MOS管替代TK12A60U型號(hào)參數(shù)-使用在DC-DC電源轉(zhuǎn)換器
2020-10-22
600V耐壓MOS管替代TK12A60U型號(hào)參數(shù)-使用在DC-DC電源轉(zhuǎn)換器作為一名電源轉(zhuǎn)化器廠的電子工程師就知道，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器在實(shí)際使用中是會(huì)受MO
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100V25A低內(nèi)阻低開啟SGT工藝MOS管高頻率大電流介紹
2020-10-22
100V25A低內(nèi)阻低開啟SGT工藝MOS管高頻率大電流介紹烜芯微專業(yè)從事DC-DC中低壓30-150V MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，性價(jià)比高，量產(chǎn)穩(wěn)定
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解析為什么控制上下MOS管的互補(bǔ)PWM不能發(fā)100%占空比
2020-10-22
解析為什么控制上下MOS管的互補(bǔ)PWM不能發(fā)100%占空比以FAN7888驅(qū)動(dòng)器的芯片手冊(cè)中的示意圖為例：MOS管導(dǎo)通的條件是G極與S極有壓差，下管MOS