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NMOS+PMOS控制電路圖解
2022-04-12
NMOS+PMOS控制電路圖解NMOS+PMOS控制電路下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個(gè)MOS管組合控制電路，由一個(gè)增強(qiáng)型NMOS管和一個(gè)增強(qiáng)型P
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解析什么是IGBT中的閂鎖效應(yīng)
2022-04-12
解析什么是IGBT中的閂鎖效應(yīng)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效
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有效防止電路中閂鎖問(wèn)題的方法介紹
2022-04-12
有效防止電路中閂鎖問(wèn)題的方法介紹閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低阻抗路徑可能會(huì)由于過(guò)
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MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路詳解
2022-04-11
MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路詳解通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來(lái)沒(méi)
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EMC加差模電感抑制開關(guān)電源的噪聲進(jìn)入電網(wǎng)解析
2022-04-11
EMC加差模電感抑制開關(guān)電源的噪聲進(jìn)入電網(wǎng)解析開關(guān)電源的EMC部分經(jīng)常會(huì)看到有加差模電感，這個(gè)電感的作用就是用來(lái)抑制開關(guān)電源的噪聲進(jìn)入電
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BLDC電機(jī)控制算法解析
2022-04-11
BLDC電機(jī)控制算法解析BLDC電機(jī)控制算法無(wú)刷電機(jī)屬于自換流型（自我方向轉(zhuǎn)換），因此控制起來(lái)更加復(fù)雜。BLDC電機(jī)控制要求了解電機(jī)進(jìn)行整流轉(zhuǎn)
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開關(guān)電源的控制技術(shù):PWM與PFM介紹
2022-04-09
開關(guān)電源的控制技術(shù):PWM與PFM介紹開關(guān)電源的控制技術(shù)主要有三種：(1)脈沖寬度調(diào)制(PWM)；(2)脈沖頻率調(diào)制(PFM)；(3)脈沖寬度頻率調(diào)制(PWM-P
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雙穩(wěn)態(tài)一鍵開關(guān)機(jī)電路知識(shí)介紹
2022-04-09
雙穩(wěn)態(tài)一鍵開關(guān)機(jī)電路知識(shí)介紹雙穩(wěn)態(tài)電路設(shè)計(jì)原理：Q1,Q2組成雙穩(wěn)態(tài)電路。 由于C1的作用，上電的時(shí)候Q1先導(dǎo)通 ，Q2截止，如果沒(méi)按下按鍵
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怎么判斷MOS管是否被擊穿,與解決方法介紹
2022-04-09
怎么判斷MOS管是否被擊穿,與解決方法介紹可以使用數(shù)字萬(wàn)用表進(jìn)行判斷，通過(guò)測(cè)量MOS管漏極和源極的電阻可以簡(jiǎn)單的判斷出內(nèi)部是否擊穿短路，
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N溝道MOS管做電平轉(zhuǎn)換詳解
2022-04-08
N溝道MOS管做電平轉(zhuǎn)換詳解如圖所示，是 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理：為了方便講述，定義 3 3V 為 A 端，5 0V
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PMOS-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹
2022-04-08
PMOS-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹P 溝道 MOSFET 設(shè)計(jì)圖7示出了第二種方法，即采用一個(gè) PMOS 晶體管作為保護(hù)器件。在此電路中，MP1
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MOSFET-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹
2022-04-08
MOSFET-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二