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輸入阻抗和輸出阻抗,計(jì)算詳解
2023-01-30
輸入阻抗和輸出阻抗,計(jì)算詳解計(jì)算方法輸入阻抗：通過(guò)在輸入端加上一個(gè)電壓源U，測(cè)試輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin=U I。輸入阻抗越大越好，
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MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù),最小門(mén)極電阻計(jì)算介紹
2023-01-30
MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù),最小門(mén)極電阻計(jì)算介紹在《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動(dòng)參數(shù)的計(jì)算方法》該應(yīng)用指南中由 Eq 6 得到了門(mén)極電流 i(t)i(t) 不振蕩
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MOS管柵極和源極之間為什么要加一個(gè)電阻
2023-01-30
MOS管柵極和源極之間為什么要加一個(gè)電阻MOS管柵極與源極加電阻作用1、為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過(guò)電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供
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柵極電阻,柵源電阻作用介紹
2023-01-29
柵極電阻,柵源電阻作用介紹柵極電阻H橋的mos管柵極電阻1 減緩Rds從無(wú)窮大到Rds(on)(一般0 1歐姆或者更低)。2 若不加R39電阻，高壓情況下便
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MOS管參數(shù)計(jì)算,vth,UnCox計(jì)算詳解
2023-01-29
MOS管參數(shù)計(jì)算,vth,UnCox計(jì)算詳解一個(gè)MOS電路計(jì)算的話，有兩個(gè)參數(shù)是比較重要的。一個(gè)是vth，一個(gè)是UnCox。不考慮其他效應(yīng)。那有一個(gè)工藝庫(kù)
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開(kāi)關(guān)電源元件參數(shù)中英文對(duì)照表介紹
2023-01-29
開(kāi)關(guān)電源元件參數(shù)中英文對(duì)照表介紹開(kāi)關(guān)電源元件-MOS管參數(shù)中英文開(kāi)關(guān)電源元件-肖特基二極管參數(shù)中英文開(kāi)關(guān)電源元件-二極管參數(shù)中英文開(kāi)關(guān)電
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電源芯片工作溫度的計(jì)算,參數(shù)含義介紹
2023-01-03
電源芯片工作溫度的計(jì)算,參數(shù)含義介紹參數(shù)基本定義TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C）TC：芯片封裝表面溫度（Package c
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電源芯片溫升計(jì)算介紹
2023-01-03
電源芯片溫升計(jì)算介紹什么是芯片溫度？芯片溫度是指晶體管芯片本身的溫度Tj（結(jié)溫）。芯片溫度Tj是周?chē)ōh(huán)境）溫度Ta與芯片發(fā)熱量相加后的
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半導(dǎo)體器件的結(jié)溫理解解析
2023-01-03
半導(dǎo)體器件的結(jié)溫理解解析結(jié)溫（Junction Temperature）結(jié)溫是處于電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高于外殼溫
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MOS管參數(shù),TJ,TA,TC的計(jì)算介紹
2023-01-02
MOS管參數(shù),TJ,TA,TC的計(jì)算介紹MOS管TJ、TA、TC一般情況下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*RjaP是芯片最大的功耗Rjc是結(jié)殼間的熱阻Rja表示結(jié)與環(huán)
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PMOS管作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng),開(kāi)關(guān)速度過(guò)快解析
2023-01-02
PMOS管作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng),開(kāi)關(guān)速度過(guò)快解析PMOS管用作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開(kāi)關(guān)時(shí)因開(kāi)關(guān)速度過(guò)快導(dǎo)致電源被拉下。在電路中用到
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電源電路,PMOS防浪涌抑制電路解析
2023-01-02
電源電路,PMOS防浪涌抑制電路解析防浪涌抑制電路分析電路原理下圖是PMOS防浪涌電路的簡(jiǎn)化原理圖。首先說(shuō)為什么采用PMOS,因?yàn)樨?fù)壓開(kāi)通，可與