MOS管電平轉(zhuǎn)換電路
在電路開發(fā)的過(guò)程中，經(jīng)常遇到兩個(gè)系統(tǒng)電平不一致的情況，這時(shí)候如果兩個(gè)系統(tǒng)需要通信，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換也就是level shifting，如果通信線比較多或者有其他特殊需求，可以選用集成的level shifting芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度低，但是成本比較高。如果只有一兩路信號(hào)，我們可以選用mos進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，造價(jià)比較低。
芯片選型及原理圖
下面以1.8V和3.3V電平為例。需要注意的幾個(gè)參數(shù)為，導(dǎo)通電阻，開關(guān)速度，打開門限電壓等，此mos相關(guān)參數(shù)如下：
MOS管電平轉(zhuǎn)換-原理圖如下：
原理圖分析
1.從1.8V到3.3V（從左到右）
a. IO_1.8為高電平時(shí)，MOS關(guān)斷，此時(shí)IO_3.3為高電平
b. IO_1.8為低電平時(shí)，Vgs = 1.8V>Vgs(th), 此時(shí)MOS導(dǎo)通，IO_3.3被拉低，為低電平
c. IO_1.8為高阻態(tài)時(shí)，MOS關(guān)斷，IO_3.3為高電平
2.從右到左
a. IO_3.3為高電平，MOS關(guān)斷，IO_1.8為高電平
b. IO_3.3為低電平，由于體二極管的存在，MOS管s端會(huì)被拉低從而MOS導(dǎo)通，IO_1.8被拉低
c. IO_3.3為高阻態(tài)，MOS關(guān)斷，IO_1.8為高電平
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