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怎么消除MOS管GS波形振鈴,MOS管GS波形解析
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-08-18 15:37:56
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怎么消除MOS管GS波形振鈴,MOS管GS波形解析
MOS管的GS波形振鈴現(xiàn)象
測(cè)試MOS管GS波形有時(shí)會(huì)看到下圖中的這種波形,在芯片輸出端是非常好的方波輸出,一旦到了MOS管的G極就出問題了,有振鈴,這個(gè)振鈴小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過關(guān),但是有時(shí)候振鈴特別大,嚴(yán)重時(shí)將引起電路震蕩。
MOS管 GS波形 振鈴
MOS管的GS波形振鈴分析與仿真
MOS管 GS波形 振鈴
IC出來的波形正常,到C1兩端的波形就有振蕩了,實(shí)際上這個(gè)振蕩就是R1、L1和C1三個(gè)元器件的串聯(lián)振蕩引起的,R1為驅(qū)動(dòng)電阻,是我們外加的,L1是PCB上走線的寄生電感,C1是MOS管gs的寄生電容。
對(duì)于一個(gè)RLC串聯(lián)諧振電路,其中L1和C1不消耗功率,電阻R1起到阻值振蕩的作用阻尼作用。
實(shí)際上這個(gè)電阻的值就決定了C1兩端會(huì)不會(huì)振蕩。
1、當(dāng)R1>2(L1/C1)^0.5時(shí),為過阻尼情況。對(duì)此進(jìn)行仿真,構(gòu)建模型及仿真波形如下圖:
MOS管 GS波形 振鈴
GS時(shí)域波形上升沿變緩,幅頻特性曲線在極點(diǎn)處遠(yuǎn)小于-3dB,在這種情況下,基本是不會(huì)發(fā)生振蕩的。
2、當(dāng)R1=2(L1/C1)^0.5時(shí),為臨界情況,如圖所示:
MOS管 GS波形 振鈴
GS時(shí)域波形達(dá)到最佳狀態(tài),幅頻特性曲線在極點(diǎn)處接近于-3dB,在這種情況下,不會(huì)有振蕩,并且波形最佳。
3、當(dāng)R1<2(L1/C1)^0.5時(shí),為欠阻尼情況,參見下圖:
MOS管 GS波形 振鈴
GS時(shí)域波形出現(xiàn)震鈴,幅頻特性曲線在極點(diǎn)處高于0dB,在這種情況下,電路一定會(huì)發(fā)生振鈴,甚至發(fā)生震蕩。
振鈴問題處理
對(duì)于上述的幾個(gè)振蕩需要消除的話,我們有幾個(gè)選擇:
1、增大電阻R1,使R1≥2(L1/C1)^0.5,來消除振蕩,對(duì)于增大R1會(huì)降低電源效率的,我們一般選擇接近臨界的阻值。
2、減小PCB走線寄生電感L1,這個(gè)就是說在布局布線中一定要注意的。
3、增大C1,對(duì)于這個(gè)我們往往都不太好改變,C1的增大會(huì)使開通時(shí)間大大加長(zhǎng),我們一般都不去改變它。
所以最主要的還是在布局布線的時(shí)候,特別注意走線的長(zhǎng)度“整個(gè)驅(qū)動(dòng)回路的長(zhǎng)度”越短越好,另外可以適當(dāng)加大R1。
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