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  • 淺析D類MOS管射頻功放應(yīng)用介紹
    • 發(fā)布時間:2022-04-26 21:46:35
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    淺析D類MOS管射頻功放應(yīng)用介紹
    在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中,利用MOS管的開關(guān)特性,可使整個射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài),從而提高整機效率,改善技術(shù)性能,同時使發(fā)射機的射頻功率放大器處于低電壓范圍,有利于設(shè)備的穩(wěn)定運行。
    MOS管 射頻功放
    MOS管的開關(guān)特性
    MOS管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱,或稱為MOS管,它是有別于結(jié)型場效應(yīng)管的絕緣柵型場效應(yīng)管。
    絕緣柵場效應(yīng)管分為兩種類型:一種是耗盡型場效應(yīng)管,一種是增強型場效應(yīng)管。場效應(yīng)管一般有三個電極,即柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。
    MOS管 射頻功放
    若其柵源電壓為VGS,則當VGS≤0時,就可能產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵場效應(yīng)管,即為耗盡型場效應(yīng)管。而在VGS≥0的情況下才能產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵場效應(yīng)管為增強型場效應(yīng)管。
    一般使用的射頻功率場效應(yīng)管都是增強型MOS管,因而只需提供正向偏壓即可使器件工作。
    D類MOS管在射頻功放中的應(yīng)用
    現(xiàn)以韋爾半導(dǎo)體研發(fā)的數(shù)字化調(diào)幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發(fā)射機為例,來說明D類MOS管在射頻功放中的應(yīng)用。
    數(shù)字調(diào)幅就是將控制載波電平和音頻調(diào)制的模擬信號首先轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號,再經(jīng)過編碼變成控制射頻功放模塊開通和關(guān)斷的控制信號,通過控制相應(yīng)數(shù)目的射頻功放模塊的開通或者關(guān)斷數(shù)量來實現(xiàn)調(diào)幅。
    DAM發(fā)射機取消了傳統(tǒng)的高電平音頻功放,而且所有的射頻功率放大器均工作于D類開關(guān)狀態(tài)。
    MOS管 射頻功放
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