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    • 發(fā)布時(shí)間:2021-09-06 20:23:52
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    場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)的電路基礎(chǔ)知識(shí)
    1.什么是N型、P型半導(dǎo)體中多子和少子?
    2.PN結(jié)。
    場(chǎng)效應(yīng)管分為:
    1.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET),又稱(chēng)MOS管;
    2.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管j(JFET)。
    當(dāng)了解完MOS管,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自然就理解了。
    一、原理說(shuō)明(以N溝道增強(qiáng)型MOS管為對(duì)象)
    先看圖:
    場(chǎng)效應(yīng)管
    1.為什么叫N溝道?
    因?yàn)樵礃O和漏極是兩個(gè)N型半導(dǎo)體,我們的目的是要使源極和漏極兩個(gè)導(dǎo)通,相當(dāng)于在漏源之間挖一條溝渠,這樣兩邊就連通了。
    但問(wèn)題來(lái)了。在無(wú)任何外電場(chǎng)作用的情況下,漏源之間是兩個(gè)背向的PN結(jié),無(wú)法形成溝道,無(wú)法連通。
    2.怎么形成N溝道?
    在柵-源(g-s)間加上正電壓,在柵極金屬下側(cè)聚集正電荷,排斥二氧化硅絕緣層下側(cè)P型半導(dǎo)體具有正電特性的空穴,形成PN結(jié)。
    場(chǎng)效應(yīng)管
    現(xiàn)在加大柵-源(g-s)間的電壓,PN結(jié)區(qū)域變寬,同時(shí)吸引PN結(jié)下方的電子到PN結(jié)與二氧化硅之間,這樣溝道就形成了。
    場(chǎng)效應(yīng)管
    3.溝挖好了,現(xiàn)在要"放水"了
    在漏-源(d-s)間加上正向電壓,電子在電場(chǎng)下流動(dòng),形成電流。
    場(chǎng)效應(yīng)管
    4.為什么叫增強(qiáng)型?
    因?yàn)橐纬蓽系?,?源(g-s)間就要加上正電壓,在一定范圍內(nèi),加的正電壓越大,溝道越寬,導(dǎo)通的能力就越強(qiáng)。對(duì)應(yīng)的,耗盡型MOS管就明白了。
    注意:在柵-源(g-s)間電壓目的不是為了使溝道下方的PN結(jié)導(dǎo)通,這里是為了形成溝道,與三極管在PN結(jié)上加正向電壓目的不一樣。
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