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場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理知識(shí)
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-03-17 17:19:13
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場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)管可以用在控制回路中,起到控制負(fù)載回路通斷的作用,也可以用在防反接電路中,避免電源防接將電路燒壞。二極管可以實(shí)現(xiàn)電源防反接,但是二極管會(huì)產(chǎn)生正向壓降,不適合低電壓供電的情況,如3.3V。而場(chǎng)效應(yīng)管因?yàn)閮?nèi)阻低,所以導(dǎo)通壓降可以忽略不計(jì)。下面以MOSFET為例來(lái)介紹場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理。
NMOS防反接原理
用NMOS設(shè)計(jì)防反接電路時(shí),需要將NMOS放在電源的低端側(cè)。所設(shè)計(jì)的原理示意圖如下圖所示。
場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理
當(dāng)電源反接的時(shí)候,G極為低電平和S極同電位,NMOS不導(dǎo)通,不會(huì)燒壞負(fù)載。當(dāng)電源正接的時(shí)候,G極高電平,D極為低電平,因?yàn)榧纳O管的存在,S極的電平為0.7V,此時(shí)VGS為VBat-0.7V大于Vth,則NMOS導(dǎo)通,電路正常工作。
PMOS防反接原理
用PMOS設(shè)計(jì)防反接電路時(shí),需要將PMOS放在電源的高側(cè)。所設(shè)計(jì)的電路示意圖如下圖所示。
場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理
當(dāng)電源反接時(shí),G極為高電平,PMOS不導(dǎo)通,避免負(fù)載電路被燒壞;當(dāng)電源正接時(shí),G極為低電平,因?yàn)榧纳O管的原因,S極為VBat-0.7,所以,Vgs小于零,所以PMOS導(dǎo)通,電路正常工作。
需要注意的問(wèn)題
在設(shè)計(jì)防反接電路時(shí),NMOS要放在低端側(cè);PMOS要放在高端側(cè)。這一點(diǎn)一定要注意。
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