烜芯微生產(chǎn)貼片IRLML6401場效應(yīng)管，提供IRLML6401場效應(yīng)管規(guī)格書參數(shù)，IRLML6401MOS管資料與IRLML6401場效應(yīng)管的作用
IRLML6401場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：PNP
Power Dissipation(w)功耗：1.3W
Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流：-4.3A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓：-12V
Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓：±8.0V
Junction and Storage Temperature Range ：結(jié)和儲存溫度范圍：-55 to 150℃
IRLML6401場效應(yīng)管，SOT-23封裝尺寸：
黑膠長：最高值3.0mm，最低值2.8mm
黑膠寬：最高值1.4mm，最低值1.2mm
總寬：最高值2.55mm，最低值2.25mm
高：最高值1.0mm，最低值0.9mm
總高：最高值1.1mm，最低值0.9mm
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