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    • 7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書(shū) 封裝尺寸詳情
    • 發(fā)布時(shí)間：2020-09-09 17:48:36
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    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書(shū) 封裝尺寸詳情
    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-型號(hào)概述
    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)型號(hào)概述，此功率MOSFET生產(chǎn)是使用SL先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)是特別定制的，以減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和轉(zhuǎn)換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開(kāi)關(guān)模式電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?/div>
    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-型號(hào)特性
    RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V
    低柵電荷(典型27nC)
    快速切換
    100%雪崩測(cè)試
    改進(jìn)的dv/dt的能力
    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-型號(hào)封裝圖
    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)詳情
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    7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
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