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用于48V汽車系統(tǒng)的MOSFET-功率mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管與LFPAK封裝
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-04-17 17:33:06
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用于48V汽車系統(tǒng)的MOSFET-功率mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管與LFPAK封裝
MOSFET是一種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在汽車系統(tǒng)的交換器電路及放大器電路中具有明顯的性能和成本優(yōu)勢(shì)。目前,低電壓功率MOSFET的應(yīng)用范圍正在向剎車和顯示屏控制等其它低功率系統(tǒng)應(yīng)用擴(kuò)展。
在車載48伏系統(tǒng)中,功率MOSFET封裝向來尺寸較大,因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能,提高了器件整體安全性和可靠性。TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2PAK等傳統(tǒng)封裝已經(jīng)使用多年,鑒于其成本和眾所周知的特性,一些供應(yīng)商仍在采用這些封裝。
采用LFPAK封裝的MOSFET模塊
采用LFPAK封裝的MOSFET模塊
隨著汽車電子系統(tǒng)變得越來越先進(jìn),功率MOSFET器件也必須變得更加高效。當(dāng)前,功率溝道型MOSFET的導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))已經(jīng)低至1毫歐或2毫歐,而布線、連接以及封裝引線等等的寄生阻抗帶來的額外系統(tǒng)阻抗很可能超過MOSFET本身的阻抗,這在降低功耗的同時(shí)提高了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。因此,新得的封裝悄然問世,取代了焊線技術(shù)用于MOSFET端子連接。
LFPAK就是此類封裝設(shè)計(jì)的一種,主要優(yōu)點(diǎn)是在熱性能要求苛刻的環(huán)境中具有更高性能。另一關(guān)鍵技術(shù)因素是器件的引腳更短,可大幅度降低電感和封裝電阻。相較于其他封裝,例如使用微引腳代替引腳的功率四側(cè)扁平無引腳(PQFN)封裝,外露引腳還有助于更好地處理應(yīng)力。
另外,許多應(yīng)用都已開始放棄傳統(tǒng)的功率封裝解決方案,改為絕緣基板上安裝裸片,將MOSFET與功率器件上的感測(cè)元件一起使用,可在系統(tǒng)出現(xiàn)過流或過熱情況時(shí)保護(hù)功率器件免受損害。
長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,48伏系統(tǒng)也可以應(yīng)用于其他形式的電氣化車輛,如完全混合動(dòng)力汽車、插電式混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車。從功率半導(dǎo)體的角度來看,更具體地說是MOSFET,市場(chǎng)對(duì)更好、更高效的MOSFET的需求將持續(xù)存在。因此,制造商需要不斷創(chuàng)新,并確保跟上最新的技術(shù)趨勢(shì)。
LFPAK封裝的MOSFET模塊尺寸減少53%
LFPAK封裝的MOSFET模塊尺寸減少53%
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